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快科技12月8日音信，最新一届IEEE海外电子器件会议IEDM 2024上，Intel代工展示了四泰半导体制程工艺冲破，涵盖新材料、异构封装、全环绕栅极(GAA)等领域。

当今，Intel正在握续鼓励四年五个工艺节点的策划，策划到2030年在单个芯片上封装1万亿个晶体管，因此先进的晶体管时刻、缩微时刻、互连时刻、封装时刻王人至关迫切。

Intel代工此番公布的四大冲破包括：

1、减成法钌互连时刻

该时刻禁受了钌这种替代性的新式金属化材料，同期行使薄膜电阻率（thin film resistivity）、空气迤逦（airgap），Intel代工在互连微缩方面收场了首要动身点，具备可行性，可进入量产，何况具备本钱效益。

引入空气迤逦后，不再需要通孔周围不菲的光刻空气迤逦区域，也不错幸免使用选定性蚀刻的自瞄准通孔（self-aligned via）。

在间距小于或即是25纳米时，禁受减成法钌互连时刻收场的空气迤逦，不错使线间电容最高阻挡25％，从而替代铜嵌入工艺的上风。

该时刻有望在Intel代工的畴前制程节点中得以应用。

2、选定性层攻击（SLT）

一种异构集成惩处决策，好像以更高的纯真性集成超薄芯粒(chiplet)，对比传统的芯片到晶圆键合（chip-to-wafer bonding）时刻，能大大收缩芯片尺寸，提高纵横比，尤其是不错芯片封装中将费解量栽培高达100倍，进而收场超快速的芯片间封装。

这项时刻还带来了更高的功能密度，再连合羼杂键合（hybrid bonding）或会通键合（fusion bonding）工艺，封装来自不同晶圆的芯粒。

3、硅基RibbonFET CMOS晶体管

为了进一步收缩RibbonFET GAA晶体管，Intel代工展示了栅极长度为6纳米的硅基RibbonFET CMOS晶体管。

它在大幅镌汰栅极长度、减少沟说念厚度的同期，对短沟说念效应的禁绝和性能也达到了业界动身点水平。

它为进一步镌汰栅极长度铺平了说念路，而这恰是摩尔定律的环节基石之一。

4、用于微缩的2D GAA晶体管的栅氧化层

为了在CFET（互补场效应晶体管）除外进一步加快GAA时刻翻新，Intel代工展示了在2D GAA NMOS（N 型金属氧化物半导体）和PMOS（P 型金属氧化物半导体）晶体管理造方面的究诘。

该时刻侧重于栅氧化层模块的研发，将晶体管的栅极长度收缩到了30纳米。

同期，2D TMD（过渡金属二硫化物）究诘也得到了新施展，畴前有望在先进晶体监工艺中替代硅。

此外值得一提的是，Intel代工还在300毫米GaN（氮化镓）方面握续鼓励诱惑性的究诘。

Intel代工在300毫米GaN-on-TRSOI（富陷坑绝缘体上硅）衬底上，制造了业界动身点的高性能微缩增强型GaN MOSHEMT（金属氧化物半导体高电子迁徙率晶体管），不错减少信号蚀本，提高信号线性度和基于衬底背部处理的先进集成决策。